0 просмотров
Рейтинг статьи
1 звезда2 звезды3 звезды4 звезды5 звезд
Загрузка...

Отличие ddr1 от ddr2. Сравниваем DDR2 и DDR3

Отличие ddr1 от ddr2. Сравниваем DDR2 и DDR3

Как известно, DDR2 и DDR3, принадлежат к совершенно разным поколениям оперативной памяти и тех аспектов, которые их между собой отличают, существует огромное количество. Несмотря на их наличие, до сих пор не утихают споры, касательно того, имеет ли смысл переплачивать за DDR3, учитывая то, что DDR2., вернее ее характеристики, являются практически теми же.

Чем отличается DDR3 от DDR4?

Вы, скорее всего, знаете, что оперативная память развивается не так быстро, как процессоры. Новое поколение процессоров выходит практически каждый год, а вот оперативная память DDR3 прочно оккупировала рынок уже с далекого 2007 года. Точнее в 2007 она появилась, а в 2010 вытеснила DDR2. Теперь давайте поговорим про основные отличия памяти DDR4 от предыдущего поколения.

Технически, конечно же, новое поколение оперативной памяти более совершенно (спасибо кэп =D ). Во-первых, снижено энергопотребление (и теплоотдача соответственно). Планка памяти DDR3 имела напряжение 1,5-2 Вольта, а у DDR4 напряжение снижено до 1,05-1,2 Вольта. Хотя это больше ощутимо для серверов, чем для домашних зверьков. Во-вторых, увеличен частотный диапазон. DDR3 работал на частотах от 800Мгц до 2933Мгц, а DDR4 начинает диапазон на частоте 2133Мгц и заканчивает пока на 4400Мгц, но, видимо, это еще не предел. Судите сами, насколько значительнее будет разница в производительности такой памяти.

DDR4 – от 2133 до 4400Мгц+

Ретроклокинг: оперативная память и «кукурузные» мегагерцы (страница 4)

C 2004-го года оперативная память стандарта DDR2 начинает медленно выходить на рынок. Но заслугой широкого распространения данного типа памяти можно считать запуск AMD в 2006 году своей новой AM2 платформы с поддержкой памяти нового стандарта и полностью отказа от пережитков прошлого в лице DDR SDRAM. До этого момента все было в руках Intel.

Первые чипсеты с поддержкой DDR2 памяти были Intel 925X и 915P, которые позволяли использовать память стандарта DDR2-400/533, на одной частоте с FSB равной 400 либо 533 МГц в пропорции 1:1. Но на таких частотах вполне себе хорошо чувствовала и разогнанная DDR1, а учитывая что тайминги у DDR2 были выше и для частоты в 400 МГц DDR1 версии было достаточно выставить CL=2.5 либо 3, то для DDR2 это значение по спецификации JEDEC необходимо было увеличить еще на единицу.

реклама

В многочисленных статьях и обзорах того времени, зачастую, память нового стандарта проигрывала или была на равных со своей предшественницей. И Pentium-4 на Socket478, установленный в материнскую плату на чипсете Intel 875P не отставал по производительности от аналогичного пентиума, установленного в LGA775. Чтобы технология набралась силы и получился хороший урожай должно было пройти какое-то время.

За два года «кукуруза» набралась силы и подтянулась к отметке 800 МГц. Начиная с этой отметки предыдущие заслуги DDR1 канули в лету и начался новый зрелый этап развития DDR2 памяти.

Для истинных оверклокеров существовало два производителя чипов памяти стандарта DDR2, которые выделялись своими исключительными характеристиками на фоне всех остальных. Первым и основным был Micron с его серией чипов: D9GCT, D9GMH и D9GKX, а также Elpida и ее чипы AJBG. Рабочее напряжение DDR2 памяти по стандарту JEDEC составляло 1.8 вольта, но самые скоростные комплекты требовали, согласно спецификации производителя, напряжение равное 2.4-2.5 В, что выше на треть от рекомендуемого. Количество и ассортимент памяти стандарта DDR2 для энтузиастов, по сравнению с DDR первой версии значительно расширился. Дизайн радиаторов значительно претерпел изменения, теперь можно было увидеть целые системы охлаждение памяти, основанные на тепловых трубках либо радиаторах, предназначенных для включения их в контур охлаждения СВО.

Думаю, абсолютное большинство завсегдатаев данного ресурса имело дело с DDR2 памятью и в курсе тех частот и наборов таймингов, которые были характерны для этого типа памяти. Я коротко напомню, усредненно, большая часть памяти трудилась в ПК пользователей на эффективной частоте 800 МГц (спецификация PC6400) с таймингами 5-5-5. Хорошие модули памяти были способны работать на этой частоте со скоростной формулой 4-4-4, а элитные были способны работать вообще на всех тройках! Более высокочастотные и быстрые модули памяти могли работать на частоте в 1000 либо 1066 МГц с таймингами 5-5-5, но были и исключительные решения, работавшие на этой частоте по формуле 4-4-4. Стоимость таких комплектов была сопоставима со стоимостью топового CPU и находилась в диапазоне $400-600 за комплект.

Следующая условная градация памяти начинается с частоты 1100 МГц и завершается 1300 МГц. В этой высокочастотной группе велась настоящая борьба среди именитых производителей за звание самого скоростного и высокочастотного серийно-выпускаемого комплекта памяти. Частоты были разными и 1111, 1150, 1200 и 1250 и 1300 МГц, возможно были какие-то еще промежуточные версии частот, но всего не упомнишь. Остановлюсь на наиболее скоростных комплектах такой памяти.

Открывает DDR2 чарт лист комплект компании Corsair XMS (Extreme Memory Speed) модель TWIN2X2048-6400C3 с таймингами 3-4-3-9 и рабочей частотой 800 МГц. В основе данных модулей лежат чипы памяти Micron D9GKX (B6-25E), рабочее напряжение 2.2 В.

реклама

При повышении напряжения до 2.4-2.5В можно было рассчитывать на разгон до 900 МГц на всех тройках (3-3-3). Близкий к этой модели был комплект от Corsair из серии Dominator модель TWIN2X2048-6400C3DF. Эффективная частота 800 МГц, тайминги 3-4-3-9, напряжение 2.45 В.

В основе данного комплекта лежали отобранные производителем чипы Micron D9GMH (B6-3). С точки зрения разгона при напряжении 2.5В и чуть выше, можно было рассчитывать на работу в 900 МГц с таймингами 3-3-3-5. Отличительной чертой обоих чипов Micron D9GKX и D9GMH является еще и то, что они не только способны работать с низкими задержками на высоких частотах, но и то, что при CAS Latency=4 и остальными первичными субтаймингами равным четырем, они могли нормально работать на частотах более 1100-1200 МГц.

Еще один аналогичный «троечный» комплект выпустила TeamGroup, модель Xtreem TXDD1024M800HC3 с таймингами 3-3-3-8 все на тех же чипах производства Micron D9GMH (B6-3) но в паре со специально разработанной 6-ти слойной PCB.

Не только чипам производства Micron покорялись сверхнизкие тайминги. Elpid’а и ее чипы AJBG также могли похвастать работе CAS Latency равным 3 при эффективной частоте 800 МГц. Но, правда, остальные субтайминги уже принимали значение на единицу больше.

Представителями таких модулей памяти можно считать OCZ Titanium CL3 Edition (OCZ2T800C32GK). Скоростная формула в данном случае имела вид: 3-4-4-15 при частоте 800 МГц. Рабочее напряжение 2.25 В.

реклама

С разгоном у данного набора тоже было все в порядке и можно было рассчитывать на работу в пределах 900 МГц с таймингами 3-4-4-5. При увеличении на единицу всех таймингов становились доступны частоты свыше 1 ГГц.

Аналогичными свойствами обладали модули памяти OCZ DDR2 PC2-6400 CL3 FlexXLC Edition на аналогичных чипах, но с другой системой охлаждения, которая позволяла использовать для охлаждения модулей памяти контур СВО.

Читать еще:  Установка windows 10 на гибридный жесткий диск. Чем гибридный диск лучше HDD и SSD? Приоритеты для ПК

реклама

Как видите, хорошая память с CAS Latency равным 3 была, существовала и использовалась по прямому назначению, и это естественно не все доступные модели. Использование такой памяти закономерно давало и прирост производительности. Конечно всегда найдутся те, кто скажет какая разница будет в первом FarCry 98 fps или 110?

Если просто взглянуть на эти цифры, то покажется что разница не совсем уж и критична, но итоговая производительность складывается из множества факторов. И вот так добавляя с пяток или десяток кадров в секунду с каждого элемента системы в итоге и набегает уже существенная цифра. И часть этой цифры — грамотно выбранный комплект оперативной памяти. Ниже я хочу остановиться на некоторых заслуживающих внимания комплектах с частотою выше 1000 МГц.

Corsair XMS2 DOMINATOR PC2-8888 С4. Данный набор памяти имеет эффективную частоту работы 1111 МГц при этом тайминги имеют вид 4-4-4-12 2T. Очень выдающиеся характеристики! Чтобы достичь таких высот при синхронном разгоне процессора и памяти в соотношении 1:1 частоту FSB приходилось доводить до 555 МГц.

реклама

В основе данного комплекта лежат, уже известные нам, чипы Micron D9GMH (B6-3), но прошедшие селекционный отбор еще на стадии конвейера. Рабочее напряжение памяти составляет 2.3 В и запас прочности у данного комплекта еще присутствует. При повышении напряжения до 2.4-2.5 В данному комплекту покоряются 1200 МГц на всех четверках. Цена на момент анонса этого набора составляла

$600, что делало его доступным далеко не для каждого энтузиаста.

Логичным продолжением селекции, да и участие в гонке за лидерство, стало воплощение в железе модели с индексом спецификации PC2-10000. Производители и их маркетологи любили красивые цифры, и эта не осталась незамеченной. 10 000 Мбайт/с – такая теоритическая пропускная способность данной памяти, работающей на 1250 МГц с таймингами 5-5-5-18-2T и напряжением 2.4 В.

Все тот же «Доминатор» Corsair – модель TWIN2X2048-10000C5DF на микросхемах Micron D9GMH (B6-25E).

реклама

В модельном ряду Corsair это была последняя модель памяти с такими характеристиками, выше 1250 МГц производитель не решился выпускать свои модули памяти, и Corsair сошла с дистанции.

Но она все же отличилась, выпустив лимитированный комплект: Corsair XMS2 DOMINATOR PC2-8888 С4 с радиаторами, покрытыми настоящим 18 каратным золотом, в честь продажи 1 миллиона планок памяти серии XMS. Всего было выпущено 5 золотых наборов модели Corsair XMS2 DOMINATOR PC2-8888 С4, которые были разыграны Corsair в викторине.

Напряжение

Как правило, чем выше напряжение в ОЗУ, тем лучше будет работать память (конечно, в рамках одного поколения). RAM с более высоким напряжением также будет производить больше тепла. Однако важно, чтобы напряжение вашей оперативной памяти соответствовало показателям материнской платы.

Если ваша материнская плата поддерживает изменения напряжения, у вас может быть более широкий выбор ОЗУ, но в случае сомнений следует выбрать ту модель, которая соответствует ограничениям самой платы. Некоторые протоколы также доступны в вариантах с низким или сверхнизким напряжением, чтобы предоставить более широкий выбор.

Расшифровка модуля оперативной памяти

Теперь давайте расшифровать название модуля памяти, представленного в одном из популярных интернет-магазинов:

Crucial Ballistix Sport XT BLS2C4G3D18ADS3CEU DDR-III DIMM 8Gb KIT 2*4Gb PC3-14900 CL10

  • Итак, производитель Cruisal, комплект состоит из 2 модулей по 4 Gb.
  • Память стандарта DDR-III и формфактор DIMM, то есть для настольного ПК.
  • Пропускная способность — 14900 Мб/c
  • Тайминг — CL10
  • Частоту нужно в данном случае смотреть в подробных характеристиках товара, либо вычислить самостоятельно, разделив пропускную способность (14900) на 8.

RAM термины: тайминги, задержка и многое другое

Вы познакомились с SDRAM, DIMM и DDR. Но как насчет других длинных цепочек чисел в модели RAM? Что они имеют в виду? В чем измеряется ОЗУ? А что насчет ECC и Swap? Вот другие термины спецификации RAM, которые вы должны знать.

Тактовая частота, передача, пропускная способность
Возможно, вы видели ОЗУ, на которую ссылаются два набора чисел, например, DDR3-1600 и PC3-12800. Это и ссылка, и ссылка на генерацию оперативной памяти и ее скорость передачи . Число после DDR / PC и перед дефисом относится к поколению: DDR2 — это PC2, DDR3 — это PC3, DDR4 — это PC4.

Число, соединенное после DDR, относится к числу мегатрансферов в секунду (МТ/с). Например, оперативная память DDR3-1600 работает на скорости 1600 МТ/с. ОЗУ DDR5-6400, о котором говорилось выше, будет работать со скоростью 6400 МТ/с — намного быстрее! Число в паре после ПК относится к теоретической пропускной способности в мегабайтах в секунду. Например, PC3-12800 работает со скоростью 12 800 МБ/с.

Разгон ОЗУ возможен так же, как разгон процессора или видеокарты. Разгон увеличивает пропускную способность оперативной памяти. Производители иногда продают предварительно разогнанную оперативную память, но вы можете разогнать ее самостоятельно. Просто убедитесь, что ваша материнская плата поддерживает более высокую тактовую частоту RAM!

Вы можете быть удивлены, можете ли вы смешивать модули оперативной памяти с разными тактовыми частотами. Ответ в том, что да, вы можете, но все они будут работать на тактовой частоте самого медленного модуля. Если вы хотите использовать более быструю оперативную память, не смешивайте ее со старыми, более медленными модулями. Теоретически вы можете смешивать бренды RAM, но это не рекомендуется. У вас больше шансов встретить синий экран смерти или других случайных сбоев, когда вы смешиваете марки RAM или разные тактовые частоты RAM.

Тайминг и задержка

Иногда вы увидите модули оперативной памяти с рядом цифр, например, 9-10-9-27. Эти цифры называются таймингами. Синхронизация ОЗУ — это измерение производительности модуля ОЗУ в наносекундах. Чем ниже цифры, тем быстрее ОЗУ реагирует на запросы.

Первое число (в примере 9) — это задержка CAS. Задержка CAS относится к числу тактовых циклов, необходимых для того, чтобы данные, запрошенные контроллером памяти, стали доступными для вывода данных.

Вы можете заметить, что DDR3 RAM обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR2, а DDR4 обычно имеет более высокие тактовые номера, чем DDR3. Тем не менее, DDR4 быстрее, чем DDR3, который быстрее, чем DDR2. Странно, правда?

Мы можем объяснить это, используя DDR3 и DDR4 в качестве примеров.

Минимальная частота работы ОЗУ DDR3 составляет 533 МГц, что означает тактовую частоту 1/533000000 или 1,87 нс. При задержке CAS в 7 циклов общая задержка составляет 1,87 x 7 = 13,09 нс. («Нс» означает наносекунды.)

Принимая во внимание, что самая низкая скорость ОЗУ DDR4 составляет 800 МГц, что означает тактовую частоту 1/800000000, или 1,25 нс. Даже если он имеет более высокий CAS из 9 циклов, общая задержка составляет 1,25 x 9 = 11,25 нс. Вот почему это быстрее!

Для большинства людей пропускная способность всегда превосходит тактовую частоту и задержку . Вы получите гораздо больше преимуществ от 16 ГБ ОЗУ DDR4-1600, чем от 8 ГБ ОЗУ DDR4-2400. В большинстве случаев время и задержка являются последними пунктами рассмотрения.

ECC

ОЗУ с исправлением ошибок (ECC) — это особый тип модуля памяти, который предназначен для обнаружения и исправления повреждения данных. ECC ram используется на серверах, где ошибки в критически важных данных могут быть катастрофическими. Например, личная или финансовая информация хранится в оперативной памяти при манипулировании связанной базой данных.

Бытовые материнские платы и процессоры обычно не поддерживают ECC-совместимую оперативную память. Если вы не создаете сервер, который специально требует ОЗУ ECC, вы должны держаться подальше от него.

Сравнение DDR3 и DDR4: немного теории

Разработки памяти DDR4 были начаты пусть и не в годы бородатой древности, но относительно давно. Первые движения в этом плане предпринимались JEDEC в 2005-2006 годах, когда большинство домашних ПК еще было на базе DDR первого поколения. Однако в массовую продажу новые чипы (и платы, их поддерживающие) поступили лишь в 2014-2015 годах, когда Intel представили процессоры под сокет 1151. С тех пор не утихают споры, какая память лучше — DDR3 или DDR4.

Читать еще:  Пошаговая Установка Плей Маркет на Андроид +Отзывы 2018

Цифры и попугаи

Основным аргументом в пользу новой памяти DDR4 являются ее теоретические характеристики. Так, предел скоростей памяти увеличился: в массовом сегменте ранее царила память DDR3 с частотами 1333, 1600 и 1866 МГц (точнее, не мегагерц, а миллионов трансферов в секунду, так как все типы памяти DDR одновременно могут передавать по 2 байта данных за такт), а более высокие частоты поддерживались лишь в режиме разгона, и не всеми процессорами. Память DDR4 имеет минимальные скорости на уровне тех же 1866 или даже 2133 МГц (МТ/с). Нехитрая арифметика показывает, что DDR4 1866 передает за один момент времени в 1,5 раза больше данных, чем DDR3 1333.

А теперь — о латентности

При учете скоростных параметров важно помнить, что полное название памяти (аббревиатура) выглядит как DDR3/DDR4 SDRAM. Сокращение RAM в данном случае указывает, что это Random Access Memory или Память Случайного Доступа. Выражаясь общепонятно, эти заумные слова означают, что память ориентирована на случайный доступ к данным по всему массиву памяти, всем ячейкам. То есть, контроллер может в любой момент обратиться к любой пустой ячейке, чтобы записать туда данные, или к любой занятой ячейке — чтобы считать их оттуда. Происходит это не мгновенно, а определенное время, которое измеряется в тактах. Это значение указывается в характеристиках, как CAS-латентность (CL), а в просторечии именуется таймингами.

Важной особенностью (и важным недостатком) памяти является тот факт, что с остом тактовой частоты — вырастает и задержка. К примеру, для памяти DDR 1-го поколения, частотой 400 МГц, типичным значением CL было 2,5 такта. Если разделить время (1 секунда) на количество тактов (400 миллионов) — длительность такта получается на уровне 2,5 нс (наносекунд). 2,5 такта по 2,5 нс — это 6,25 нс суммарно. Результат нужно умножить на 2, так как задержка, как и передача, происходит по 2 фронтам. Таким образом, между подачей запроса на чтение ячейки и ее чтением у памяти DDR 400 проходит 12,5 нс.

Самая популярная тактовая частота памяти DDR3 составляет 1600 МГц, а типичная задержка — 9 тактов. Если секунду разделить на 1600 млн тактов — получается, что на такт уходит 0,625 мс. Умножив данное число на 9, получаем 5,625 нс, и умножаем на 2. То есть, задержка у памяти DDR3 1600 составляет 11,25 нс — всего на 10 % меньше, чем у древней DDR.

Типичная частота памяти DDR4, поддерживаемой современными процессорами, составляет 2133 МГц. Наиболее распространенная величина CAS-латентности — 15 тактов. 2133 миллиона тактов за секунду означают, что на один такт тратится 0,469 нс. Если умножить длительность такта на 15 (задержка), и умножить на 2 — получается, что у популярной памяти DDR4 2133 время задержки достигает 14 нс. Это больше (на те же 10 %), чем у покрытой мхом и шагающей на свалку истории DDR 400!

Конечно, на задержки, как единственную характеристику, полагаться нельзя. В линейном режиме записи и чтения новая память DDR4 существенно быстрее предшественников. Этим частично нивелируется почти не меняющееся время задержек, однако именно из-за них при росте скоростей — производительность системы не растет пропорционально, а разница между ddr3 и ddr4 остается не очень значительной.

Про ранги и виртуализацию в RAM

В продолжение рубрики «конспект админа» хотелось бы разобраться в нюансах технологий ОЗУ современного железа: в регистровой памяти, рангах, банках памяти и прочем. Подробнее коснемся надежности хранения данных в памяти и тех технологий, которые несчетное число раз на дню избавляют администраторов от печалей BSOD.

Старые песни про новые типы

Сегодня на рынке представлены, в основном, модули с памятью DDR SDRAM: DDR2, DDR3, DDR4. Разные поколения отличаются между собой рядом характеристик — в целом, каждое следующее поколение «быстрее, выше, сильнее», а для любознательных вот табличка:

Для подбора правильной памяти больший интерес представляют сами модули:

RDIMM — регистровая (буферизованная) память. Удобна для установки большого объема оперативной памяти по сравнению с небуферизованными модулями. Из минусов — более низкая производительность;

UDIMM (unregistered DRAM) — нерегистровая или небуферизованная память — это оперативная память, которая не содержит никаких буферов или регистров;

LRDIMM — эти модули обеспечивают более высокие скорости при большей емкости по сравнению с двухранговыми или четырехранговыми модулями RDIMM, за счёт использования дополнительных микросхем буфера памяти;

HDIMM (HyperCloud DIMM, HCDIMM) — модули с виртуальными рангами, которые имеют большую плотность и обеспечивают более высокую скорость работы. Например, 4 физических ранга в таких модулях могут быть представлены для контроллера как 2 виртуальных;

FBDIMM — полностью буферизованная DIMM с высокой надежностью, скоростью и плотностью размещения.

Попытка одновременно использовать эти типы может вызвать самые разные печальные последствия, вплоть до порчи материнской платы или самой памяти. Но возможно использование одного типа модулей с разными характеристиками, так как они обратно совместимы по тактовой частоте. Правда, итоговая частота работы подсистемы памяти будет ограничена возможностями самого медленного модуля или контроллера памяти.

Для всех типов памяти SDRAM есть общий набор базовых характеристик, влияющий на объем и производительность:

частота и режим работы;

Конечно, отличий на самом деле больше, но для сборки правильно работающей системы можно ограничиться этими.

Частота и режим работы

Понятно, что чем выше частота — тем выше общая производительность памяти. Но память все равно не будет работать быстрее, чем ей позволяет контроллер на материнской плате. Кроме того, все современные модули умеют работать в в многоканальном режиме, который увеличивает общую производительность до четырех раз.

Режимы работы можно условно разделить на четыре группы:

Single Mode — одноканальный или ассиметричный. Включается, когда в системе установлен только один модуль памяти или все модули отличаются друг от друга. Фактически, означает отсутствие многоканального доступа;

Dual Mode — двухканальный или симметричный. Слоты памяти группируются по каналам, в каждом из которых устанавливается одинаковый объем памяти. Это позволяет увеличить скорость работы на 5-10% в играх, и до 70% в тяжелых графических приложениях. Модули памяти необходимо устанавливать парами на разные каналы. Производители материнских плат обычно выделяют парные слоты одним цветом;

Triple Mode — трехканальный режим работы. Модули устанавливаются группами по три штуки — на каждый из трех каналов. Аналогично работают и последующие режимы: четырехканальные (quad-channel), восьмиканальные (8-channel memory) и т.п.

Flex Mode — позволяет увеличить производительность оперативной памяти при установке двух модулей различного объема, но с одинаковой частотой.

Для максимального быстродействия лучше устанавливать одинаковые модули с максимально возможной для системы частотой. При этом используйте установку парами или группами — в зависимости от доступного многоканального режима работы.

Ранги для памяти

Ранг (rank) — область памяти из нескольких чипов памяти в 64 бита (72 бита при наличии ECC, о чем поговорим позже). В зависимости от конструкции модуль может содержать один, два или четыре ранга.

Узнать этот параметр можно из маркировки на модуле памяти. Например уKingston число рангов легко вычислить по одной из трех букв в середине маркировки: S (Single — одногоранговая), D (Dual — двухранговая), Q (Quad — четырехранговая).

Читать еще:  Что делать если в телефоне при разговоре не слышно собеседника. Абонент не слышит вас или слышит очень плохо Я слышу меня нет что с телефоном

Пример полной расшифровки маркировки на модулях Kingston:

Серверные материнские платы ограничены суммарным числом рангов памяти, с которыми могут работать. Например, если максимально может быть установлено восемь рангов при уже установленных четырех двухранговых модулях, то в свободные слоты память добавить не получится.

Перед покупкой модулей есть смысл уточнить, какие типы памяти поддерживает процессор сервера. Например, Xeon E5/E5 v2 поддерживают одно-, двух- и четырехранговые регистровые модули DIMM (RDIMM), LRDIMM и не буферизированные ECC DIMM (ECC UDIMM) DDR3. А процессоры Xeon E5 v3 поддерживают одно- и двухранговые регистровые модули DIMM, а также LRDIMM DDR4.

Немного про скучные аббревиатуры таймингов

Тайминги или латентность памяти (CAS Latency, CL) — величина задержки в тактах от поступления команды до ее исполнения. Числа таймингов указывают параметры следующих операций:

CL (CAS Latency) — время, которое проходит между запросом процессора некоторых данных из памяти и моментом выдачи этих данных памятью;

tRCD (задержка от RAS до CAS) — время, которое должно пройти с момента обращения к строке матрицы (RAS) до обращения к столбцу матрицы (CAS) с нужными данными;

tRP (RAS Precharge) — интервал от закрытия доступа к одной строке матрицы, и до начала доступа к другой;

tRAS — пауза для возврата памяти в состояние ожидания следующего запроса;

CMD (Command Rate) — время от активации чипа памяти до обращения к ней с первой командой.

Разумеется, чем меньше тайминги — тем лучше для скорости. Но за низкую латентность придется заплатить тактовой частотой: чем ниже тайминги, тем меньше допустимая для памяти тактовая частота. Поэтому правильным выбором будет «золотая середина».

Существуют и специальные более дорогие модули с пометкой «Low Latency», которые могут работать на более высокой частоте при низких таймингах. При расширении памяти желательно подбирать модули с таймингами, аналогичными уже установленным.

RAID для оперативной памяти

Ошибки при хранении данных в оперативной памяти неизбежны. Они классифицируются как аппаратные отказы и нерегулярные ошибки (сбои). Память с контролем четности способна обнаружить ошибку, но не способна ее исправить.

Для коррекции нерегулярных ошибок применяется ECC-память, которая содержит дополнительную микросхему для обнаружения и исправления ошибок в отдельных битах.

Метод коррекции ошибок работает следующим образом:

При записи 64 бит данных в ячейку памяти происходит подсчет контрольной суммы, составляющей 8 бит.

Когда процессор считывает данные, то выполняется расчет контрольной суммы полученных данных и сравнение с исходным значением. Если суммы не совпадают — это ошибка.

Если ошибка однобитовая, то неправильный бит исправляется автоматически. Если двухбитовая — передается соответствующее сообщение для операционной системы.

Технология Advanced ECC способна исправлять многобитовые ошибки в одной микросхеме, и с ней возможно восстановление данных даже при отказе всего модуля DRAM.

Исправление ошибок нужно отдельно включить в BIOS

Большинство серверных модулей памяти являются регистровыми (буферизованными) — они содержат регистры контроля передачи данных.

Регистры также позволяют устанавливать большие объемы памяти, но из-за них образуются дополнительные задержки в работе. Дело в том, что каждое чтение и запись буферизуются в регистре на один такт, прежде чем попадут с шины памяти в чип DRAM, поэтому регистровая память оказывается медленнее не регистровой на один такт.

Все регистровые модули и память с полной буферизацией также поддерживают ECC, а вот обратное не всегда справедливо. Из соображений надежности для сервера лучше использовать регистровую память.

Многопроцессорные системы и память

Для правильной и быстрой работы нескольких процессоров, нужно каждому из них выделить свой банк памяти для доступа «напрямую». Об организации этих банков в конкретном сервере лучше почитать в документации, но общее правило такое: память распределяем между банками поровну и в каждый ставим модули одного типа.

Если пришлось поставить в сервер модули с меньшей частотой, чем требуется материнской плате — нужно включить в BIOS дополнительные циклы ожидания при работе процессора с памятью.

Для автоматического учета всех правил и рекомендаций по установке модулей можно использовать специальные утилиты от вендора. Например, у HP есть Online DDR4 (DDR3) Memory Configuration Tool.

Итого

Вместо пространственного заключения приведу общие рекомендации по выбору памяти:

Для многопроцессорных серверов HP рекомендуется использовать только регистровую память c функцией коррекции ошибок (ECC RDIMM), а для однопроцессорных — небуферизированную с ECC (UDIMM). Планки UDIMM для серверов HP лучше выбирать от этого же производителя, чтобы избежать самопроизвольных перезагрузок.

В случае с RDIMM лучше выбирать одно- и двухранговые модули (1rx4, 2rx4). Для оптимальной производительности используйте двухранговые модули памяти в конфигурациях 1 или 2 DIMM на канал. Создание конфигурации из 3 DIMM с установкой модулей в третий банк памяти значительно снижает производительность.

Из тех же соображений максимальной скорости желательно избегать использования четырехранговой памяти RDIMM, поскольку она снижает частоту до 1066 МГц в конфигурациях с одним модулем на канал, и до 800 МГц — в конфигурациях с двумя модулями на канал. Справедливо для серверов на базе Intel Xeon 5600 и Xeon E5/E5 v2.

Список короткий, но здесь все самое необходимое и наименее очевидное. Конечно же, старый как мир принцип RTFM никто не отменял.

Prefetch

Возможно, вы уже слышали термин «предварительная загрузка». Однако, когда речь идет об оперативной памяти, слово Prefetch относится к архитектуре предвыборки. Оперативная память с размером буфера предварительной выборки 2n будет обращаться к памяти в два раза быстрее, чем SDRAM, которая имеет размер буфера предварительной выборки 1n (или одну единицу данных).

По сути, когда SDRAM считывает данные, она читает одну единицу данных за раз. Однако ОЗУ DDR1, имеющая буфер предварительной выборки 2n, считывает две единицы данных за раз. RAM считывает две единицы данных, которые находятся рядом друг с другом, потому что предполагается, что ЦП понадобятся эти данные. Практически, это так.

Чем выше буфер предвыборки вашей оперативной памяти, тем больше данных она будет читать за один проход. Чтение большего количества данных за один проход, даже если это в конечном итоге данные, которые не нужны вашему компьютеру, гораздо эффективнее, чем повторное чтение все тех же данных.

Таким образом, оперативная память DDR4 работает в восемь раз быстрее, чем SDRAM, поскольку имеет буфер предварительной выборки 8n. С другой стороны, оперативная память DDR5 может быть в шестнадцать раз быстрее SDRAM. DDR3 работает в том же буфере предварительной выборки, что и оперативная память DDR4.

DDR 2 и DDR 3

Основные отличия DDR 2 и DDR 3, сводятся к следующему:

  • Главной отличительной особенностью двух этих стандартов памяти, является то, что они имеют совершенно разные слоты и ввиду их наличия, является невозможным совместить их друг с другом.
  • DDR 3, располагает намного большей тактовой частотой. В новой версии она составляет 1600 МГц, а в предыдущей — всего 800 МГ.
  • В отличие от своей предыдущей версии, DDR3, имеет возможность похвастаться наличием намного большей пропускной способностью и гораздо меньшим энергопотреблением.

Действительно, в некоторых ситуациях совершенно не уместно заменять старенький DDR2, ведь в преимущественном большинстве случаев, особенно учитывая то, как значимая часть пользователей ПК, проводит свой досуг, хватит и его. В то самое время, не следовало бы забывать о том, что DDR2 и DDR3 — это совершенно разные типы оперативной памяти и ввиду наличия настолько большого количества отличительных особенностей, совершенно глупо путать их между собой. Кстати говоря, сейчас появился стандарт памяти DDR4, который также, как и все его былые аналоги, будет иметь целый перечень всевозможных отличий. При этом, стоить он будет гораздо дороже!

Ссылка на основную публикацию
Статьи c упоминанием слов:
Adblock
detector